MAC4M |
RFQ for MAC4M |
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| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| MAC4M | ON Semiconductor | TO-220 | 04+ |
Typical Application |
Features |
| Designed for high performance full-wave ac control applications where high noise immunity and high commutating di/dt are required. | • Blocking Voltage to 800 Volts• On-State Current Rating of 4.0 Amperes RMS at 100°C• Uniform Gate Trigger Currents in Three Modes• High Immunity to dv/dt - 500 V/ms minimum at 125°C• Minimizes Snubber Networks for Protection• High Surge Current Capability 40 Amperes• Industry Standard TO-220AB Package• High Commutating di/dt - 6.0 A/ms minimum at 125°C• Operational in Three Quadrants: Q1, Q2, and Q3• Device Marking: Logo, Device Type, e.g., MAC4M, Date Code |
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Rating |
Symbol |
Value |
Unit | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Peak Repetitive OffState Voltage(1) (TJ = 40 to 125°C, Sine Wave, 50 to 60 Hz, Gate Open) MAC4M MAC4N |
VDRM, VRRM |
600 800 |
Volts | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| On-State RMS Current (Full Cycle Sine Wave, 60 Hz, TC = 100°C) |
IT(RMS) |
4.0 |
Amps | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Peak Non-Repetitive Surge Current (One Full Cycle Sine Wave, 60 Hz, TJ = 125°C) |
ITSM |
40 |
A2sec | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Circuit Fusing Consideration (t = 8.33 ms) |
I2t |
6.6 |
A2sec | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Peak Gate Power (Pulse Width 3 1.0 ms, TC = 100°C) |
PGM |
0.5 |
Watt | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Average Gate Power (t = 8.3 ms, TC = 100°C) |
PG(AV) |
0.1 |
Watt | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Operating Junction Temperature Range |
IGM |
40 to+125 |
°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Storage Temperature Range |
VGM |
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